E光去痘印

E光去痘印常用名：

E光去痘印簡介：E光去痘印是充分結合光能和射頻技術的綜合優勢，選擇性的使E光能量集中作用於色素團顆粒和色素細胞，使其擊碎並汽化，另外，E光獨有的射頻能量使色素顆粒通過淋巴組織排出體外，而不影響周圍正常組織，從而達到去痘印作用。E光去痘印的效果通常可維持1年左右。該方法作用部位較深，去痘印更潔凈；安全性較高，恢復期較短；同時改善皮膚的彈性、色澤和細膩程度。

E光去痘印適用人群

水痘、痤瘡、粉刺、青春痘、膿皰等愈合後遺留的大小不等的痘印。

E光去痘印禁忌人群

1、月經期、妊娠期或哺乳期女性。

2、近期接受過鐳射、磨皮、果酸換膚等治療者。

3、光源過敏者或近期服用過光敏性藥物者。

4、治療後不能避免日光或人造光暴曬者。

5、瘢痕體質者或癲癇病等。

6、治療部位存在填充物、開放性傷口、炎癥或皮膚病者。

7、心理障礙或精神異常患者。

8、對治療效果抱有不切實際希望者。

9、患心臟病、高血壓、糖尿病等，需要依賴藥物治療者。

E光去痘印技術/手術風險

1、光毒作用

一般來講就是過度曬傷。光毒反應臨床主要表現為過度光照數小時，在區域內出現界限分明的強烈紅斑和水腫，可能伴有燒灼痛和感覺過敏。在治療後最初的24小時內，通過多次使用合適的防曬劑來預防光毒反應的發生。

2、皮膚病毒或細菌感染

發生皮膚病毒或細菌感染的情況較少，但也有可能發生。有單純皰疹病毒感染復發史或在感染活動期的患者用預防性抗病毒藥物，可以防止病情加重。治療前對治療區進行徹底清洗可預防表面細菌感染，如膿皰病和蜂窩織炎。

3、暫時性古銅色化

依照治療程度的不同，皮膚將呈現3～14天不等的暫時性膚色加深，可加強防曬。

4、暫時性脫皮

老化壞死組織將自然而然的脫落，取而代之的是新生的健康肌膚，脫皮的情形如同日曬後的反應，不會有痛感，可加強保濕產品來改善脫皮的現象。

E光去痘印效果說明

維持時間：E光去痘印效果一般可以維持1年左右。

影響因素：受個人體質、操作規范、術後護理等因素影響，不同患者術後的效果及維持時間會有差異。

時間變化：隨著時間的推移，被淡化的痘印會逐漸顯現，且由於人體內激素等發生變化，受術者會重新長痘，進而留下新的痘印。求美者可在咨詢醫生後考慮進行二次治療。

E光去痘印術後護理

1、紅腫期（治療後當天～3天）

部分患者可能會出現局部紅腫發熱持續不斷，屬於正常的現象，2小時自行消失。處理方式包括：治療後，可以使用膠原面貼敷料或冰膜；多補充維生素C，註意皮膚保濕，嚴格防曬；禁煙酒及辛辣刺激的食物；一個星期內，不用熱水洗臉，原則上使用涼水，並且前三天，用濕巾輕輕擦拭，不要使勁揉捏皮膚。

2、結痂期（治療後4天～7天）

會出現結痂，千萬要記住不能夠用手觸摸，要讓痂自然脫落，否則會出現色素沉著。處理方式包括：盡量不要出門，如果非要出門一定要做好防曬，太陽傘、帽子、墨鏡和口罩是必不可少的，此外還可以塗上防曬霜（不能用刺激性強的防曬霜）；不揉搓治療區域；禁煙酒、辛辣刺激性食物及顏色深的食物（如咖啡、可樂等）；不參加激烈運動，以免出汗後引起感染；不可使用其他藥物或化妝品。

3、結痂脫落期（治療後8天～15天）

痂皮逐漸脫落完畢，形成新生皮膚，呈淡粉色。處理方式包括：繼續使用修復產品；嚴格註意防曬，做好保濕工作；幹癢嚴禁搔抓，要讓痂皮自行成熟脫落，不得強行剝落。

4、效果顯現期（治療後16天～30天）

治療後反應消退，效果逐漸顯現，膚色提亮，痘印改善。處理方式包括：註意防曬和保濕；如想徹底去痘印需要按療程治療，術後如有任何不良反應，請及時到院復診。

E光去痘印術前註意

1、治療前兩周避免暴曬，否則容易出現色素沉著及瘢痕。

2、治療前做好面部清潔工作，治療當天不化妝。

3、治療前一周，不能做激光、磨皮、果酸換膚等美容項目。

4、進行醫患溝通，瞭解E光去痘印治療的流程和風險，做好心理準備。

5、完善術前檢查，包括常規檢查如血常規、凝血功能等，排除手術禁忌。

6、女性要避開妊娠期、哺乳期、月經期。

7、不良生活習慣改變，如術前禁煙限酒等。

8、術前清淡飲食，避免進食辛辣刺激、油膩食物。

E光去痘印手術設備材料

E光美容技術聯合瞭光能和射頻兩種技術運用於皮膚美容中。其中又分為激光與射頻、光子與射頻以及紅外光與射頻相結合的三種系統。光能和射頻能選擇性地協同作用於目標靶組織，具有嫩膚、祛斑、脫毛、除皺等效果。

E光去痘印優劣勢

1、優勢

安全性較高，恢復期較短；同時改善皮膚的彈性、色澤和細膩程度。

2、劣勢

效果維持時間短；需要多次治療，才能達到較好的效果；治療後的護理要求較嚴格。